一、設備概況
1.1產(chǎn)品應用：主要用于2～6英寸鍺單晶、砷化鎵，碲鋅鎘等化合物晶體的生長。
1.2產(chǎn)品特點：
1.2.1工業(yè)計算機控制系統(tǒng)（WINDOWS 系統(tǒng)界面，操作方便簡潔）；
1.2.2關鍵部件均采用進口，確保設備的高可靠性；
1.2.3控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好；
1.2.4具有斷電報警、超溫/欠溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能；
1.2.5晶體生長均勻性好、重復性高。
二、主要技術參數(shù)
工作溫度 | 600～1280℃ |
適應晶體尺寸 | 2～6英寸 |
裝料量 | 15Kg/爐 |
加熱控制 | 7段控制 |
溫區(qū)長度 | 800mm±0.5℃（1000～1280℃） （可定制） |
升溫速率 | 15℃/min |
升降行程 | 900mm |
最小升降速率（VB） | 0.1mm/h |
配套設備 | 合成爐、鑄錠爐、脫氧封管爐等 |